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化学场效应管氨气传感器的制备及特性研究

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场效应管(FET)是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件,具有体积小、重量轻、节能、热稳定性好等优点,广泛应用于电路方面,而场效应管应用于氨气传感器从Lundstrom首次报道后才引起了广大研究者的兴趣。

采用化学氧化聚合法制备了3,4-聚乙撑二氧噻吩(简称PEDT),并运用SEM和红外吸收光谱对其薄膜进行表征;同时将其沉积在N沟道耗尽型无金属栅场效应管上,形成以PEDT膜取代MOSFET栅金属的化学场效应管气体传感器,研究了其对氨气和温度的敏感特性。研究表明在氨气浓度低于54ppm的情况下,ChemFET的漏电流随着氨气浓度的增加而减小,其变化量(△IDS)随氨气浓度的变化呈线性关系;同时漏电流随着负的衬底电压的增加而减小,随着温度的升高而降低。

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